Вчені з Університету Фудань у Шанхаї розробили двовимірну флеш-пам’ять, яка може зберігати дані за кімнатної температури, використовуючи лише один електрон. Це суттєво зменшує кількість енергії, необхідної для обробки даних, і потенційно може дозволити моделям штучного інтелекту працювати безпосередньо на смартфонах. Найсучасніші пристрої оперативної пам’яті (RAM), які використовуються сьогодні, створені для двох цілей: зберігати двійкові дані та запобігати їхньому перетворенню на шум.
Лише один електрон замість 200 тисяч: Китай розробив ультра-компактну 2D-пам'ять на графеновому чипі
ЗМІСТ
05
Лис
Bluetooth 2027: Революційний Швидкісний Прорив з Технологією High Data Throughput
Технологічний Прогрес Bluetooth до 2027 Року Організація Bluetooth Special Interest Group (SIG) оголосила про ухвалення нової технології Bluetooth High Data Throughput (HDT), що обіцяє зробити…
05
Лис
Революційний прорив у технології акумуляторів: китайські вчені створили батарею з 10 000 циклів заряджання
Вражаючий розвиток у сфері акумуляторів Китайські науковці здійснили вражаючий прорив у технології акумуляторів, розробивши інноваційний акумулятор, що витримує понад 10 000 циклів заряджання та розряджання,…
05
Лис
Революційний прорив у квантовій фізиці: вчені фіксують атомні процеси за допомогою найшвидшого рентгенівського джерела
Відкриття, що змінює уявлення про квантову фізикуНещодавно вчені Університету штату Аризона (ASU) здійснили вражаючий прорив у галузі квантової фізики, провівши перші експерименти, що дозволили спостерігати…